双极晶体管
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QC962-8A是一个混合集成IGBT驱动器设计用于驱动n通道IGBT模块在任何门放大器应用。该设备在输入和输出之间提供所需的电气隔离。
QP12W05S-37是一种混合集成IGBT专为驾驶设计的驱动器IGBT模块。该器件是一个完全隔离的门驱动电路,由一个最佳隔离门驱动放大器和一个隔离…
当前的: 25 mA
电压: 13v
特点-内置隔离DC-DC电源;单电源驱动拓扑- 3750VAC的高隔离电压-输入信号频率高达20kHz -内置故障电路,带故障反馈引脚-忽略驱动信号…
当前的: 20 a
电压: 650v
降低开关损耗,实现高速开关。(2引脚封装)AEC-Q101合格恢复时间更短高速开关可能降低温度依赖性
罗姆半导体
当前的: 50 a
电压: 650v
RGWS00TS65D是一个IGBT集电极-发射极饱和电压低,适用于PFC、太阳能变换器、中高开关频率变换器。RGWS系列具有高速开关,有助于更高的…
罗姆半导体
当前的: 50 a
电压: 650v
RGWxx65C系列为650VIGBT内置碳化硅肖特基势垒二极管,减少接通开关损耗。这是一个符合AEC-Q101标准的产品。即使在恶劣的环境中,它也可以自信地使用。
罗姆半导体
电压: 1700、2500、4500 v
采用专利薄晶片XPT™技术和最先进的技术设计IGBT过程中,这些器件显示的质量,如降低热阻,低尾电流,低能量损失和高速开关…
当前的: 600 a
电压: 1200v
LittelfuseIGBT模块提供高效率和快速的现代切换速度IGBT健壮而灵活的技术格式。用于电源控制应用,Littelfuse提供了一个扩展的组合…
...设计HousingMiniSKiiP II 1 (42x40x16) (LLxBBxHH)42x40x16 switches7 Pack VCES in V600 ICnom in A6 TechnologyNPTIGBT(超速)
SEMIKRON
部件编号25230580产品状态在产壳体miniskiip II 1 (42x40x16) (LLxBBxHH)42x40x16交换机7 Pack VCES in V600 ICnom in A6 TechnologyIGBT 3 (Trench)
SEMIKRON
部件编号25232360产品状态在产壳体miniskiip II 0 (34x31x16) (LLxBBxHH)34x31x16交换机7 Pack VCES in V600 ICnom in A15 TechnologyIGBT 3 (Trench)
SEMIKRON
当前的: 3,000, 1,300, 2,000 a
电压: 4500、5200 v
StakPak是高功率绝缘门的家族双相晶体管(IGBT)压包和二极管在一个先进的模块化外壳,保证均匀的芯片压力在多设备堆栈。尽管……
当前的: 38 a
电压: 650v
650v, 28a硬开关TRENCHSTOP™5 S5IGBT占地面积小的to- 220封装解决了在10 kHz和40 kHz之间切换的应用程序,以提供高电流密度,高效率,更快的上市时间……
英飞凌科技有限公司
当前的: 100, 82 a
电压: 20v
东芝提供了广泛的双相晶体管适用于各种应用,包括射频(RF)和电源设备。
当前的: 10, 43 a
电压: 250v, 500v
仙童展示了他们最新的IGBT汽车点火系列。它是专门设计的,具有市场上所有设备中最高的钳位能量密度和低饱和电压。提供最佳的性能和满足…
飞兆半导体公司
SLLIMM智能功率模块属于ipm家族,允许优化的硅芯片的组合,并集成了3个主要的逆变器模块:功率级(短路坚固的igbt和自由轮二极管),驱动…
意法半导体
当前的: 0 a ~ 10 a
瑞萨的晶体管支持从超小尺寸到大电流或放大应用的广泛应用。此外,通过巨大的努力,芯片的尺寸被最小化了……
电压: 60v
CENTRAL SEMICONDUCTOR BCV47是一款NPN达林顿硅芯片晶体管通过外延平面工艺制造,环氧树脂模压在表面贴装封装,设计用于需要极高增益的应用. ...
中央半导体
当前的: 0.8 a
电压: 50v
直流电流增益hFE最大。:400直流电流增益hFE最小值:160说明:TO-92, 50V, 0.8A, NPN双相晶体管IC (A):0.8 PD (W):0.625封装:TO-92极性:NPN状态:有源TJ Max。(°c):150 vcbo…
电压: 0.24 v ~ 3.5 v
NPN, PNP和互补晶体管广泛的投资组合双相NPN和PNP晶体管.
当前的: 10 a ~ 1600 a
电压: 600v ~ 1700v
Greegoo提供IGBT(绝缘栅双相晶体管)模块在不同的拓扑,电流和电压评级。从15A到1600A,电压等级从600V到1700V,…
坚固的XPT设计(Xtreme光穿孔机)导致:-额定短路10µ秒。非常低的门费…
电压: 20,50v
n通道MOSFET和NPN晶体管低导阻极低门限电压,最大1.0V低输入电容,快速开关速度,低输入/输出泄漏,超小表面贴装封装…
二极管合并
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