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芯片电容器
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电压: 50、100伏
电容: 1 μ f - 10 μ f
国巨
电压: 50、100、250、500、630伏
电容: 0 nF ~ 100 nF
本规范描述汽车级NP0/X7R系列芯片电容器无铅端子,用于汽车设备。所有通用应用娱乐…
国巨
电压: 16v ~ 3000v
电容: 0 - 470nf
本规范描述X7R系列芯片电容器具有灵活的无铅端子。应用高弯曲应力电路板开关电源电信基站功能…
国巨
电压: 10kv - 50kv
电容: 0.28 nF - 0.85 nF
...高频高压陶瓷电容器LPF系列A型和B型的区别A型和B型两种外观电容器,相同电压容量使用…
电压: 3v ~ 35v
电容: 4.7 μ f - 1500 μ f
坚固的设计,高可靠性芯片电容器松下POSCAP™固体电解质芯片电容器在高频和高温下提供稳定的电容,具有低esr /ESL. ...
电压: 100、200、500、630伏
电容: 1 μ f - 820 μ f
面山多层陶瓷芯片电容器含铅终止锡/铅终止完成-最低4%铅可在0402至1210体尺寸两个介质低…
电压: 100v ~ 630 v
电容: 0µf - 0.15µf
制作多层陶瓷芯片电容器更紧凑,更大容量,我们借鉴了TDK先进的材料技术,使颗粒尺寸超细。通过把我们的原始加工…
TDK电子欧洲
电压: 10v ~ 450v
电容: 110 μ f - 68000 μ f
超低外形,超薄最高能量密度,寿命最长可达50G振动低压@ 92000英尺过滤储能介质铝电容最小:100 μ F最大:…
EXXELIA
电容: 0.1µf - 470µf
RCD的TangoldTM结构提供了优越的性能和广阔的电容范围,这是在真空下烧结的高增益钽粉固体段塞的结果。阻燃环氧成型,确保最佳环保…
电容: 0µf - 33µf
特点:高电容(高达33?F)和电压(高达8千伏)X7R和NPO介电介质,适用于大容量SMPS和DC-DC转换器设计,回流焊外壳尺寸为1515至7565
NIC组件
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