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当前的:95
电压:40 V
RH6G040BG是一种力量场效应晶体管低电阻和高功率包,适合转换。低,抵抗高功率小模具包(HSMT8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素
罗姆半导体
当前的:60
电压:150 V
RS6R060BH是一种力量场效应晶体管低电阻和高功率包,适合切换低,抗高功率包(HSOP8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素100% Rg和ui测试
罗姆半导体
当前的:210
电压:40 V
RS6G120BG是一种力量场效应晶体管低电阻和高功率包,适合转换。低,抗高功率包(HSOP8) Pb-free电镀;通过无铅认证无卤素100% Rg和ui测试
罗姆半导体
当前的:-16.4
电压:-60 V
p沟道场效电晶体在正常和逻辑水平,降低设计的复杂性中、低功率应用OptiMOS™p沟道场效电晶体60 v DPAK包代表了新技术针对……
英飞凌科技公司
当前的:0.4 - 45
电压:36 V - 70 V
…专有技术允许集成的完整的数字和模拟控制和保护电路来驱动垂直场效应晶体管,所有在同一芯片上。下部开关,与他们的额外的功能集成,…
电压:50 V
…ULTRAmini™节约空间包包含两个3920 NPN型晶体管应用程序:•负载切换•小信号放大••灯和继电器驱动程序场效应晶体管门开
电压:110 265 V
TOPSwitch-HX包含700 V电源场效应晶体管、高电压转电流源、PWM控制振荡器、热关机电路、故障保护和其他控制电路到单一的设备。降低系统……
功率集成
…孤立的安装面- 2500 V电气隔离电容低排选项卡(< 40 pF)快速CoolMOS™1)的权力场效应晶体管第四代-高屏蔽能力最低的阻力——雪崩额定松开归纳…
电压:20、50 V
n沟道场效应晶体管和NPN型晶体管在一个包低导通电阻非常低的门阈值电压,1.0 v max低输入电容切换速度快低输入/输出漏超薄表面…
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