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当前的: 95 a
电压: 40v
RH6G040BG是一种具有低开阻和高功率封装的功率MOSFET，适用于开关。低电阻高功率小模具封装(HSMT8)无铅电镀;符合RoHS标准的无卤素
罗姆半导体
当前的: 60 a
电压: 150v
RS6R060BH是一种低开阻高功率封装的功率MOSFET，适用于开关低开阻高功率封装(HSOP8)无pb电镀;RoHS符合无卤素100% Rg和UIS测试
罗姆半导体
当前的: 210 a
电压: 40v
RS6G120BG是一种低开阻、高功率封装的功率MOSFET，适用于开关。低开阻高功率封装(HSOP8)无铅电镀;RoHS符合无卤素100% Rg和UIS测试
罗姆半导体
QC962-8A是一个混合集成IGBT驱动器设计用于驱动n通道IGBT模块在任何门放大器应用。该设备在输入和输出之间提供所需的电气隔离。
QP12W05S-37是一种混合集成IGBT专为驾驶设计的驱动器IGBT模块。该器件是一个完全隔离的门驱动电路，由一个最佳隔离门驱动放大器和一个隔离…
当前的: 25 mA
电压: 13v
特点-内置隔离DC-DC电源;单电源驱动拓扑- 3750VAC的高隔离电压-输入信号频率高达20kHz -内置故障电路，带故障反馈引脚-忽略驱动信号…
电压: 1700、2500、4500 v
采用专利薄晶片XPT™技术和最先进的技术设计IGBT过程中，这些器件显示的质量，如降低热阻，低尾电流，低能量损失和高速开关…
当前的: 600 a
电压: 1200v
LittelfuseIGBT模块提供高效率和快速的现代切换速度IGBT健壮而灵活的技术格式。用于电源控制应用，Littelfuse提供了一个扩展的组合…
Vishay是世界上最大的低功率mosfet制造商。Vishay Siliconix功率MOSFET产品线包括30多种封装类型的器件，包括芯片级MICRO FOOT®和热先进PowerPAK®系列. ...
．.．设计HousingMiniSKiiP II 1 (42x40x16) (LLxBBxHH)42x40x16 switches7 Pack VCES in V600 ICnom in A6 TechnologyNPTIGBT(超速)
SEMIKRON
部件编号25230580产品状态在产壳体miniskiip II 1 (42x40x16) (LLxBBxHH)42x40x16交换机7 Pack VCES in V600 ICnom in A6 TechnologyIGBT 3 (Trench)
SEMIKRON
部件编号25232360产品状态在产壳体miniskiip II 0 (34x31x16) (LLxBBxHH)34x31x16交换机7 Pack VCES in V600 ICnom in A15 TechnologyIGBT 3 (Trench)
SEMIKRON
当前的: 3,000, 1,300, 2,000 a
电压: 4500、5200 v
StakPak是一个高功率绝缘栅双极系列晶体管(IGBT)压包和二极管在一个先进的模块化外壳，保证均匀的芯片压力在多设备堆栈。尽管最常见的……
电压: - 60v
OptiMOS™p沟道mosfet 60V DPAK封装代表了针对电池管理，负载开关…
英飞凌科技有限公司
当前的: 10, 43 a
电压: 250v, 500v
仙童展示了他们最新的IGBT汽车点火系列。它是专门设计的，具有市场上所有设备中最高的钳位能量密度和低饱和电压。提供最佳的性能和满足…
飞兆半导体公司
ST基于VIPower(垂直智能电源)技术，提供多种汽车级智能3脚和5脚低侧开关(OMNIFET)。这种专有技术允许集成完整的数字和模拟控制和…
意法半导体
当前的: 0 a ~ 10 a
瑞萨的晶体管支持从超小尺寸到大电流或放大应用的广泛应用。此外，通过巨大的努力，芯片的尺寸被最小化了……
瑞萨电子
电压: 45v
CENTRAL SEMICONDUCTOR BCX51、BCX52和BCX53类型为PNP硅晶体管由外延平面工艺制造，环氧模压在表面贴装封装，专为大电流通用放大器…
中央半导体
当前的: 0.8 a
电压: 50v
直流电流增益hFE最大。:400直流电流增益hFE最小:160说明:TO-92, 50V, 0.8A, NPN双极晶体管IC (A):0.8 PD (W):0.625封装:TO-92极性:NPN状态:有源TJ Max。(°c):150 vcbo (v):50 vce…
当前的: 10 a ~ 1600 a
电压: 600v ~ 1700v
Greegoo提供IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块在不同的拓扑，电流和电压评级。从15A到1600A，电压等级从600V到1700VIGBT．.．
当前的: 2 a
电压: 36v
有了这个MOSFET，你可以控制高达36伏的电压。通过脉宽调制，均方根电压可以降低(例如，使LED灯变暗)。兼容Arduino，树莓派等控制电压最小. ...
电压: 110、265 v
TOPSwitch-HX集成了700 V功率MOSFET、高压开关电流源、PWM控制、振荡器、热停机电路、故障保护和其他控制电路到一个单片器件上。低系统成本，高…
功率集成
电压: 20,50v
n通道MOSFET和NPN晶体管低导阻极低门限电压，最大1.0V低输入电容，快速开关速度，低输入/输出泄漏，超小表面贴装封装…
二极管合并
当前的: 1 mA - 20 mA
电压: 2.7 v
微电流器件在1mA-20mA提供良好的射频性能。AT-320XX采用多种封装，非常适合于寻呼、蜂窝/ pc和其他射频应用。NF=1dB，增益=14dB在3V, 2mA;P1dB= 13dBm at…
博通公司
电压: 8v ~ 35v
蓝牙模块是移动设备与发电机组之间数据通信的过渡模块。通过RS485与发电机组控制器连接。通过手机APP可以获取发电机组信息，控制发电机组启停。性能……
晶体管是一种三端半导体器件，用于开关或放大电子信号和功率。
应用程序双极技术应用于模拟电子和电力电子领域，特别是用于电流放大和电压调节。MOFSET晶体管在电源和高压开关、电机控制和开关模式电源中工作良好。
技术双极晶体管和场效应晶体管(FET)的工作原理不同。前者为基极电流控制，后者为电网电压控制。它们在被控电路中电压降的性质上有所不同。双极模型在半导体结之间有最小的下降。fet的输出电阻很低，只有几毫欧姆。
双极晶体管是n型或p型，取决于控制电流的方向在基极。n通道fet具有比p通道模型更好的负源电压控制性能。还有其他类型的晶体管:用于射频和高频应用的晶体管、高增益达林顿晶体管、igbt和jfet。
选择将主要取决于电流和电压规格，频率限制和包装。
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