反光材料高温计400年400年紫外线,紫外线辐射

没有显示 RS485 静止的

真正GaN-based外延晶片表面温度和反射率测量,650到1300°C先进能源的UV 400和400紫外线辐射高温计直接测量晶圆表面温度,而不是传统的基座/口袋里的温度。•宽温度范围(650 - 1300°C)允许报道的两个主要缓冲增长和发光增长•有额外的反射计测量沉积厚度在635 nm紫外线辐射400•可调发射率,透光率,子范围概述先进能源的UV 400年和400年紫外线辐射高温计直接测量晶圆表面温度。这种改进方法允许更精确的控制晶片的温度从而提高产量。在635 nm紫外线辐射400包括一个额外的反射计0.5 kHz测量速度。这使您能够使测量沉积厚度。这些系统导致生产过程创造了一个新的标准。结果显示一个可靠的过程最终产品温度和波长之间的相关性。好处通过准确真实的晶片温度测量••提高收益率直接测量温度在氮化镓层使用紫外线波长仪表•捕获实时反射测量使用快速脉冲光源•防止残留温度振荡见NIR emissivity-compensated高温计•防止由于延迟采样数据倾斜(没有快门开关)特征与PL波长相关性••可靠的晶片温度模拟输出和RS485 UPP协议接口可用•子范围可调温度范围内•设备经受氮气和真空的氛围(< 10 mbar)