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InGaAs光电二极管XSJ-10-APD6-16
雪崩 芯片上的载体

InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
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这种产品比较

特征

类型
InGaAs,雪崩
越来越多的
销,芯片载体

描述

介绍这25 gbps雪崩光电二极管芯片芯片(adp)是一种接地信号(GS)电极结构,与面积大小是Φ16μm top-illuminated活跃。这个产品的特点是高乘法,低电容、高带宽、低温度系数和优良的可靠性,应用25 g EPON, 5 g无线和100 gbase-er4。特性Φ16μm活跃区域。高的乘法。高数据率:25 gbps。低电容。较低的温度系数。优秀的可靠性:所有芯片都通过了资格要求规定Telcordia公司gr - 468核心。100%的测试和检验。应用程序在其25 gbps 100 gbase-er4 (ER4-lite) 5 g无线。
*价格是税前。他们不包括运费和关税,不包括额外的收费安装或激活选项。价格只具有象征意义和可能不同国家,改变原材料成本和汇率。