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InGaAs光电二极管xsj - 10 - apd3 - 200 x
雪崩

InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管
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特征

类型
InGaAs,雪崩
越来越多的

描述

描述雪崩chotodiode芯片芯片(adp)是一种活跃的设备提供了一个内置的增益和光电流放大。这种产品特性是阳极和阴极,与top-illuminated有效面积大小是Φ200μm便于光学装配;高反应性和较低的暗电流。高性能1.25 gbps adp为单管芯片包能可以提高光接收机的灵敏度,OTDR)的应用程序。特性Φ200μm活跃区域。阳极和阴极上。较低的暗电流。优秀的响应率和高收益。上面的数据率1.25 gbps。优秀的可靠性:所有芯片都通过了资格要求规定Telcordia公司gr - 468核心。 100% testing and inspection. Applications Optical Time Domain Reflectometer(OTDR). Laser range finder/Distance measurement. Spatial light transmission. Low-light-level detection. Laser alarming and LIDAR.
*价格是税前。他们不包括运费和关税,不包括额外的收费安装或激活选项。价格只具有象征意义和可能不同国家,改变原材料成本和汇率。