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IGBT晶体管模块RTK200HF120B

IGBT晶体管模块
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特征

类型
IGBT
当前的

200年,一个

电压

1200 V

描述

特点:1200V200A,VCE(sat)(典型)=2.1V•损耗更低，能量更高•优异的短路坚固性•62毫米半桥模块一般应用:融科的igbt具有更低的损耗和更高的能量，适用于电机驱动，逆变器和其他软开关应用。

目录

RTK200HF120B
RTK200HF120B
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